理大二维铁电体研究突破　推动微电子AI发展

　　中评社香港2月19日电／二维铁电体能展现急速的载流子流动，令数据传输、存储及运算速度更高，材料尺寸可显着缩小，大幅降低能耗；且材料极为纤薄，透明度与柔韧度出色，适用于制作电子设备。其中，二维硒化铟（In2Se3）的二维五重原子层中同时存在顺电性、铁电性、反铁电性等多种物相，应用潜力极大，但二维硒化铟的各个物相稳定性不明确，具备所需物相的二维硒化铟薄膜亦欠缺大面积合成方法。香港理工大学应用物理学系副教授赵炯的研究团队早前成功研发出可大规模合成二维铁电材料的方法，有望推动微电子、人工智能及量子资讯领域的技术发展，从而促进高密度存储设备、能量转换系统、传感技术及催化技术等各种应用的开发。