美限制获补贴芯企在华增产 技术增值不受限

　　韩联社消息，美国商务部21日表示，《晶片法案》中为防止补贴用于损害美国安全活动的“护栏”条款的细则已经刊宪公布，并征求公众意见60天。但技术进步带来的单位晶圆面积存储容量的增加，不视为产能增长，为在华韩企与中国本土友商竞争图存留下出路。但美国政府重申，禁止受惠企业与华为等中国企业进行联合研究与试验发展活动。

　　为避免中国间接受益，法案规定在领取补贴的企业未来10年进行使其在中国等受关注国家的产能得以“实质性扩张”（material expansion）的重大交易时，需全额退还补贴。该细则将“实质性扩张”定义为产能的量化增长，界定“重大交易”的金额标准为10万美元以上。

　　一旦交易超标，先进制程晶片的产能不得增长5%以上，传统（legacy）制程晶片产能不得增长10%以上。细则对传统晶片的范围提供指导，包括28奈米以下的逻辑晶片、18奈米以下传统动态随机存取记忆体（DRAM）、128层以上的快闪记忆体晶片（NAND）。